Nature.com ପରିଦର୍ଶନ କରିଥିବାରୁ ଧନ୍ୟବାଦ |ସୀମିତ CSS ସମର୍ଥନ ସହିତ ଆପଣ ଏକ ବ୍ରାଉଜର୍ ସଂସ୍କରଣ ବ୍ୟବହାର କରୁଛନ୍ତି |ସର୍ବୋତ୍ତମ ଅଭିଜ୍ଞତା ପାଇଁ, ଆମେ ପରାମର୍ଶ ଦେଉଛୁ ଯେ ଆପଣ ଏକ ଅପଡେଟ୍ ବ୍ରାଉଜର୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ (କିମ୍ବା ଇଣ୍ଟରନେଟ୍ ଏକ୍ସପ୍ଲୋରରରେ ସୁସଙ୍ଗତତା ମୋଡ୍ ଅକ୍ଷମ କରନ୍ତୁ) |ଏହା ସହିତ, ଚାଲୁଥିବା ସମର୍ଥନ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ଆମେ ଶ yles ଳୀ ଏବଂ ଜାଭାସ୍କ୍ରିପ୍ଟ ବିନା ସାଇଟ୍ ଦେଖାଇଥାଉ |
ଥରେ ତିନୋଟି ସ୍ଲାଇଡ୍ ର ଏକ କାରୁସେଲ୍ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |ଏକ ସମୟରେ ତିନୋଟି ସ୍ଲାଇଡ୍ ଦେଇ ଗତି କରିବା ପାଇଁ ପୂର୍ବ ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ବଟନ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, କିମ୍ବା ଏକ ସମୟରେ ତିନୋଟି ସ୍ଲାଇଡ୍ ଦେଇ ଯିବା ପାଇଁ ଶେଷରେ ସ୍ଲାଇଡର୍ ବଟନ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |
ସିଧାସଳଖ ଲେଜର ହସ୍ତକ୍ଷେପ (DLIP) ଲେଜର-ପ୍ରେରିତ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପୃଷ୍ଠ ଗଠନ (LIPSS) ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ପୃଷ୍ଠଗୁଡିକ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଥ୍ରୋପପୁଟ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉଚ୍ଚ ହାରାହାରି ଲେଜର ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର କରି ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ |ଅବଶ୍ୟ, ଏହା ଉତ୍ତାପର ଜମାକୁ ନେଇଥାଏ, ଯାହା ଫଳାଫଳ ପୃଷ୍ଠର ରୁଗ୍ଣତା ଏବଂ ଆକୃତି ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |ତେଣୁ, ଗଠନ ହୋଇଥିବା ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ମର୍ଫୋଲୋଜି ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାର ପ୍ରଭାବ ବିଷୟରେ ବିସ୍ତୃତ ଭାବରେ ଅଧ୍ୟୟନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ, ଷ୍ଟିଲ୍ ପୃଷ୍ଠଟି 532 nm ରେ ps-DLIP ସହିତ ଧାଡିରେ ନିର୍ମିତ ହୋଇଥିଲା |ଫଳାଫଳର ଟପୋଗ୍ରାଫି ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାର ପ୍ରଭାବ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବାକୁ, ତାପମାତ୍ରାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଗରମ ପ୍ଲେଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଥିଲା |250 \ (^ {\ circ} \) କୁ ଗରମ କରିବା ଦ୍ formed ାରା ଗଠିତ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର ଗଭୀରତା 2.33 ରୁ 1.06 µm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହ୍ରାସ ପାଇଲା |ଏହି ହ୍ରାସ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଶସ୍ୟ ଏବଂ ଲେଜର ଦ୍ ind ାରା ନିର୍ମିତ ପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର LIPSS ର ଦୃଶ୍ୟ ସହିତ ଜଡିତ ଥିଲା |ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାର ଦୃ strong ପ୍ରଭାବକୁ ଦର୍ଶାଏ, ଯାହା ଉତ୍ତାପ ସଂଗ୍ରହ ପ୍ରଭାବ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଉଚ୍ଚ ହାରାହାରି ଲେଜର ଶକ୍ତିରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଚିକିତ୍ସା କରାଯିବା ସମୟରେ ମଧ୍ୟ ଆଶା କରାଯାଏ |
ଅଲ୍ଟ୍ରାଷ୍ଟୋର୍ଟ୍ ପଲ୍ସ ଲେଜର ବିକିରଣ ଉପରେ ଆଧାରିତ ସର୍ଫେସ୍ ଚିକିତ୍ସା ପଦ୍ଧତିଗୁଡିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରାସଙ୍ଗିକ ସାମଗ୍ରୀର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବାର କ୍ଷମତା ହେତୁ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ଶିଳ୍ପରେ ଆଗରେ ଅଛି |ବିଶେଷ ଭାବରେ, ଲେଜର-ପ୍ରେରିତ କଷ୍ଟମ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ହେଉଛି ବିଭିନ୍ନ ଶିଳ୍ପ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତି 1,2,3 ମଧ୍ୟରେ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ |ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଭର୍ସିଲୋ ଏବଂ ଅନ୍ୟମାନେ |ଲେଜର-ପ୍ରେରିତ ସୁପରହିଡ୍ରୋଫୋବିସିଟି ଉପରେ ଆଧାର କରି ଏରୋସ୍ପେସ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଟାଇଟାନିୟମ୍ ଆଲୋଇ ଉପରେ ଆଣ୍ଟି-ଆଇସିଂ ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇଛି |ଏପର୍ଲିନ୍ ଏଟ୍ ରିପୋର୍ଟ କରିଛନ୍ତି ଯେ ଲେଜର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନା ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପାଦିତ ନାନୋସାଇଜଡ୍ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ବାୟୋଫିଲ୍ମ ବୃଦ୍ଧି କିମ୍ବା ଷ୍ଟିଲ୍ ନମୁନା ଉପରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରିବ |ଏହା ସହିତ, ଗୁଆଇ ଏଟ୍।ଜ organic ବ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣକୁ ମଧ୍ୟ ଉନ୍ନତ କରିଛି |6 ଏହିପରି, ଲେଜର ସଂରଚନା ଭୂପୃଷ୍ଠ ପଦାର୍ଥର ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଦ୍ୱାରା ଉଚ୍ଚ-ବିଭେଦନକାରୀ ସଂରଚନା ଉପାଦାନ ଉତ୍ପାଦନକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ଏହିପରି ପର୍ଯ୍ୟାୟକ୍ରମେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନା ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ଲେଜର ସଂରଚନା କ techni ଶଳ ହେଉଛି ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ଲେଜର ହସ୍ତକ୍ଷେପ ଆକୃତି (DLIP) |ମାଇକ୍ରୋମିଟର ଏବଂ ନାନୋମିଟର ପରିସରର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ ନମୁନା ପୃଷ୍ଠଗୁଡିକ ଗଠନ ପାଇଁ DLIP ଦୁଇ କିମ୍ବା ଅଧିକ ଲେଜର ବିମର ନିକଟ-ପୃଷ୍ଠ ହସ୍ତକ୍ଷେପ ଉପରେ ଆଧାରିତ |ଲେଜର ବିମର ସଂଖ୍ୟା ଏବଂ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି, DLIP ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଟପୋଗ୍ରାଫିକ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନାକୁ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ |ଏକ ଜଟିଳ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ହେଉଛି DLIP ସଂରଚନାକୁ ଲେଜର-ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନା (LIPSS) ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରିବା, ଏକ ଜଟିଳ ଗଠନମୂଳକ କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ 8,9,10,11,12 ସହିତ ଏକ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଟପୋଗ୍ରାଫି ସୃଷ୍ଟି କରିବା |ପ୍ରକୃତିରେ, ଏହି ହାଇରାର୍କିଗୁଡିକ ଏକକ-ମାପ ମଡେଲ ଅପେକ୍ଷା ଆହୁରି ଭଲ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
LIPSS ଫଙ୍କସନ୍ ବିକିରଣ ତୀବ୍ରତା ବଣ୍ଟନର ନିକଟତର ପୃଷ୍ଠଭୂମି ମଡ୍ୟୁଲେସନ ଉପରେ ଆଧାର କରି ଏକ ଆତ୍ମ-ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା (ସକରାତ୍ମକ ମତାମତ) ଅଧୀନରେ |ଏହା ନାନୋରୋଫେନ୍ସର ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଲେଜର ଡାଲିର ସଂଖ୍ୟା 14, 15, 16 ବ increases ିଥାଏ | ମଡ୍ୟୁଲେସନ ମୁଖ୍ୟତ elect ବିଦ୍ୟୁତ୍-ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ ନିର୍ଗତ ତରଙ୍ଗର ହସ୍ତକ୍ଷେପ ହେତୁ ଘଟିଥାଏ 15,17,18,19,20,21 ବିସ୍ତୃତ ତରଙ୍ଗ ଉପାଦାନ କିମ୍ବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ପ୍ଲାଜମନ୍ |LIPSS ର ଗଠନ ମଧ୍ୟ ଡାଲିର ସମୟ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ 22,23 |ବିଶେଷ ଭାବରେ, ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ପାଦନ ପୃଷ୍ଠ ଚିକିତ୍ସା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ହାରାହାରି ଲେଜର ଶକ୍ତି ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ |ଏହା ସାଧାରଣତ high ଉଚ୍ଚ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାରର ବ୍ୟବହାର ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଅର୍ଥାତ୍ MHz ପରିସର ମଧ୍ୟରେ |ଫଳସ୍ୱରୂପ, ଲେଜର ଡାଲି ମଧ୍ୟରେ ସମୟ ଦୂରତା କମ୍ ଅଟେ, ଯାହାକି ଉତ୍ତାପ ସଂଗ୍ରହ ପ୍ରଭାବକୁ 23, 24, 25, 26 କୁ ନେଇଥାଏ | ଏହି ପ୍ରଭାବ ଭୂପୃଷ୍ଠର ତାପମାତ୍ରାର ସାମଗ୍ରିକ ବୃଦ୍ଧି ଘଟାଇଥାଏ, ଯାହା ଲେଜର ଆବ୍ଲେସନ୍ ସମୟରେ ପ୍ୟାଟର୍ନିଂ ମେକାନିଜମକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |
ପୂର୍ବ କାର୍ଯ୍ୟରେ, ରୁଡେଙ୍କୋ ଏବଂ ଅନ୍ୟମାନେ |ଏବଂ Tzibidis et al।କନଭେକ୍ଟିଭ୍ ଗଠନ ଗଠନ ପାଇଁ ଏକ ଯନ୍ତ୍ରକ discussed ଶଳ ଉପରେ ଆଲୋଚନା କରାଯାଇଛି, ଯାହା ଉତ୍ତାପ ଜମା ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହେବା ଉଚିତ 19,27 |ଏହା ସହିତ, ବାଉର୍ ଏଟ୍।ମାଇକ୍ରନ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗଠନ ସହିତ ଉତ୍ତାପ ସଂଗ୍ରହର ଜଟିଳ ପରିମାଣ ସହିତ ସମ୍ପର୍କ କରନ୍ତୁ |ଏହି ଥର୍ମାଲି ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ଗଠନ ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସତ୍ତ୍, େ, ସାଧାରଣତ believed ବିଶ୍ believed ାସ କରାଯାଏ ଯେ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଉତ୍ପାଦକତା କେବଳ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର ବୃଦ୍ଧି କରି ଉନ୍ନତ ହୋଇପାରିବ |ଯଦିଓ ଏହା, ଉତ୍ତାପ ସଂରକ୍ଷଣରେ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବୃଦ୍ଧି ବିନା ହାସଲ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |ତେଣୁ, ପ୍ରକ୍ରିୟା କ ies ଶଳ ଯାହା ଏକ ମଲ୍ଟିଭେଲ୍ ଟପୋଲୋଜି ପ୍ରଦାନ କରେ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗତି ଏବଂ ଗଠନ ଗଠନ ପରିବର୍ତ୍ତନ ନକରି ଅଧିକ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାରରେ ପୋର୍ଟେବଲ୍ ହୋଇନପାରେ |ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରା DLIP ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ କିପରି ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ ତାହା ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ବିଶେଷତ L LIPSS ର ଏକକାଳୀନ ଗଠନ ହେତୁ ସ୍ତରୀୟ ପୃଷ୍ଠଭୂମି s ାଞ୍ଚା ତିଆରି କରିବା ସମୟରେ |
Ps ଡାଲି ବ୍ୟବହାର କରି ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲର DLIP ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସମୟରେ ଫଳାଫଳର ଉପର ଟପୋଗ୍ରାଫି ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାର ପ୍ରଭାବକୁ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରିବା ଏହି ଅଧ୍ୟୟନର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ |ଲେଜର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସମୟରେ, ନମୁନା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ତାପମାତ୍ରା ଏକ ଉତ୍ତାପ ପ୍ଲେଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରି 250 \ (^ \ circ \) C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅଣାଯାଇଥିଲା |ଫଳସ୍ୱରୂପ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନାଗୁଡିକ କନଫୋକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପି, ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପି ଏବଂ ଶକ୍ତି-ବିଛିନ୍ନ ଏକ୍ସ-ରେ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପି ବ୍ୟବହାର କରି ବର୍ଣ୍ଣିତ ହୋଇଥିଲା |
ପରୀକ୍ଷଣର ପ୍ରଥମ କ୍ରମରେ, ଷ୍ଟିଲ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଦୁଇ-ବିମ୍ DLIP ସଂରଚନା ବ୍ୟବହାର କରି 4.5 µm ସ୍ଥାନିକ ସମୟ ଏବଂ \ (T _ {\ mathrm {s}} \) 21 \ (^ {\ circ) ର ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରା ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରାଯାଇଥିଲା | } \) C, ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ “ଉତ୍ତପ୍ତ” ପୃଷ୍ଠ ଭାବରେ କୁହାଯାଏ |ଏହି କ୍ଷେତ୍ରରେ, ନାଡିର ଓଭରଲପ୍ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ହେଉଛି ସ୍ପଟ୍ ସାଇଜ୍ ର କାର୍ଯ୍ୟ ଭାବରେ ଦୁଇଟି ଡାଲି ମଧ୍ୟରେ ଦୂରତା |ଏହା 99.0% (ପ୍ରତି ପଦବୀ ପାଇଁ 100 ଡାଲି) ରୁ 99.67% (ପ୍ରତି ପଦବୀ ପାଇଁ 300 ଡାଲି) ମଧ୍ୟରେ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ |ସମସ୍ତ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଏକ ଶିଖର ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା \ (\ Phi _ \ mathrm {p} \) = 0.5 J / cm \ (^ 2 \) (ବାଧା ବିନା ଏକ ଗାଉସିଆନ୍ ସମକକ୍ଷ ପାଇଁ) ଏବଂ ପୁନରାବୃତ୍ତି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି f = 200 kHz ବ୍ୟବହୃତ ହେଲା |ଲେଜର ବିମ୍ ର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ର ଦିଗ ପୋଜିସନ୍ ଟେବୁଲ୍ (ଚିତ୍ର 1a) ର ଗତି ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ, ଯାହା ଦୁଇ-ବିମ୍ ହସ୍ତକ୍ଷେପ pattern ାଞ୍ଚା ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ର ar ଖ୍ୟ ଜ୍ୟାମିତିର ଦିଗ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ |ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ (SEM) ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରାପ୍ତ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରତିନିଧୀ ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ଡିମ୍ବରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |1a - cଟପୋଗ୍ରାଫି ଦୃଷ୍ଟିରୁ SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକର ବିଶ୍ଳେଷଣକୁ ସମର୍ଥନ କରିବାକୁ, ଫୋରିଅର୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମସ୍ (FFTs, ଗା dark ଼ ଇନ୍ସେଟରେ ପ୍ରଦର୍ଶିତ) ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଉଥିବା ସଂରଚନା ଉପରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଇଥିଲା |ସମସ୍ତ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଫଳାଫଳ DLIP ଜ୍ୟାମିତି 4.5 µm ବ୍ୟବଧାନରେ ଦୃଶ୍ୟମାନ ହେଲା |
ମାମଲା ପାଇଁ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) = ଚିତ୍ରର ଅନ୍ଧକାର ଅଞ୍ଚଳରେ 99.0% |1a, ସର୍ବାଧିକ ହସ୍ତକ୍ଷେପର ସ୍ଥିତିକୁ ଅନୁରୂପ, ଛୋଟ ସମାନ୍ତରାଳ ସଂରଚନା ଧାରଣ କରିଥିବା ଖୋଳାକୁ ଦେଖିପାରିବେ |ସେମାନେ ଏକ ନାନୋପାର୍ଟିକଲ୍ ପରି ଟପୋଗ୍ରାଫିରେ ଆଚ୍ଛାଦିତ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ସହିତ ବିକଳ୍ପ କରନ୍ତି |କାରଣ ଗ୍ରୀଭ୍ ମଧ୍ୟରେ ସମାନ୍ତରାଳ ସଂରଚନା ଲେଜର ବିମ୍ ର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ଦେଖାଯାଏ ଏବଂ ଏହାର ଅବଧି \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-I}} \) 418 \ (\ pm 65 \) nm, ସାମାନ୍ୟ | ଲେଜରର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟଠାରୁ କମ୍ \ (\ lambda \) (532 nm) କମ୍ ସ୍ପେସାଲ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (LSFL-I) 15,18 ସହିତ LIPSS କୁହାଯାଇପାରେ |LSFL-I FFT, “s” ବିଛାଇବା 15,20 ରେ ଏକ ତଥାକଥିତ s- ପ୍ରକାର ସଙ୍କେତ ଉତ୍ପାଦନ କରେ |ତେଣୁ, ସଙ୍କେତଟି ଶକ୍ତିଶାଳୀ କେନ୍ଦ୍ରୀୟ ଭୂଲମ୍ବ ଉପାଦାନ ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଅଟେ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ DLIP ସଂରଚନା ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥାଏ (\ (\ ଲମ୍ବଡା _ {\ mathrm {DLIP}} \) \ (\ ପାଖାପାଖି \) 4.5 µm) |FFT ପ୍ରତିଛବିରେ DLIP pattern ାଞ୍ଚାର ର ar ଖ୍ୟ ସଂରଚନା ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ସଙ୍କେତକୁ “DLIP- ପ୍ରକାର” କୁହାଯାଏ |
DLIP ବ୍ୟବହାର କରି ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକ |ଶିଖର ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ହେଉଛି \ (\ Phi _ \ mathrm {p} \) = 0.5 J / cm \ (^ 2 \) (ଶବ୍ଦ ନଥିବା ଗାଉସିଆନ୍ ସମକକ୍ଷ ପାଇଁ) ଏବଂ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର f = 200 kHz |ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା, ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ଓଭରଲେଜ୍ ଦେଖାଏ |ଲୋକାଲାଇଜେସନ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଗତି (a) ରେ ଏକ କଳା ତୀର ସହିତ ଚିହ୍ନିତ |ବ୍ଲାକ୍ ଇନ୍ସେଟ୍ 37.25 \ (\ times \) 37.25 µm SEM ପ୍ରତିଛବିରୁ ପ୍ରାପ୍ତ ଅନୁରୂପ FFT ଦେଖାଏ (ତରଙ୍ଗଭେକ୍ଟର ହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଦେଖାଯାଏ \ (\ vec {k} \ cdot (2 \ pi) ^ {-1} \) = 200 nm)ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଚିତ୍ରରେ ସୂଚିତ କରାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ର 1 କୁ ଆଗକୁ ଦେଖିଲେ, ଆପଣ ଦେଖିପାରିବେ ଯେ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ଓଭରଲପ୍ ବ increases ଼ିବା ସହିତ ସିଗମଏଡ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ FFT ର x ଅକ୍ଷରେ ଅଧିକ କେନ୍ଦ୍ରୀଭୂତ ହୋଇଛି |ବାକି LSFL-I ଅଧିକ ସମାନ୍ତରାଳ ହେବାକୁ ଲାଗେ |ଏହା ସହିତ, s- ପ୍ରକାର ସଙ୍କେତର ଆପେକ୍ଷିକ ତୀବ୍ରତା ହ୍ରାସ ହେଲା ଏବଂ DLIP- ପ୍ରକାର ସଙ୍କେତର ତୀବ୍ରତା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |ଅଧିକ ଓଭରଲପ୍ ସହିତ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚାରଣ ହୋଇଥିବା ଖାଲଗୁଡ଼ିକ ହେତୁ ଏହା ହୋଇଥାଏ |ଆହୁରି ମଧ୍ୟ, ପ୍ରକାର s ଏବଂ କେନ୍ଦ୍ର ମଧ୍ୟରେ x-axis ସଙ୍କେତ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ LSFL-I ସହିତ ସମାନ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଏକ ସଂରଚନାରୁ ଆସିବ କିନ୍ତୁ ଏକ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ସହିତ (\ (\ ଲମ୍ବଡା _ \ ଗଣିତ {b} \) \ (\ ପାଖାପାଖି \) ଚିତ୍ର 1c ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି 1.4 ± 0.2 µm) |ତେଣୁ, ଅନୁମାନ କରାଯାଏ ଯେ ସେମାନଙ୍କର ଗଠନ ହେଉଛି ଖାଲର ମଧ୍ୟଭାଗରେ ଗର୍ତ୍ତର ଏକ ନମୁନା |ନୂତନ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅର୍ଡିନେଟ୍ ର ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସର (ବଡ଼ ତରଙ୍ଗ) ରେ ମଧ୍ୟ ଦେଖାଯାଏ |ଏହି ସଙ୍କେତଟି ଖାଲର ସମାନ୍ତରାଳ ରିପଲରୁ ଆସିଥାଏ, ସମ୍ଭବତ incident ଘଟଣାର ହସ୍ତକ୍ଷେପ ଏବଂ opes ୁଲା ଉପରେ ଆଗକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ ଆଲୋକ |ନିମ୍ନଲିଖିତରେ, ଏହି ରିପଲଗୁଡିକ LSFL \ (_ \ mathrm {edge} \), ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ସଙ୍କେତ - ପ୍ରକାର -s \ (_ {\ mathrm {p)) \) ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ କରାଯାଇଛି |
ପରବର୍ତ୍ତୀ ପରୀକ୍ଷଣରେ, ନମୁନାର ତାପମାତ୍ରା ତଥାକଥିତ “ଉତ୍ତପ୍ତ” ପୃଷ୍ଠରେ 250 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅଣାଯାଇଥିଲା |ପୂର୍ବ ବିଭାଗରେ ଉଲ୍ଲେଖ କରାଯାଇଥିବା ପରୀକ୍ଷଣ ପରି ସମାନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ରଣନୀତି ଅନୁଯାୟୀ ସଂରଚନା କରାଯାଇଥିଲା (ଚିତ୍ର 1a - 1c) |ଚିତ୍ର 1d - f ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକ ଫଳାଫଳ ହୋଇଥିବା ଟପୋଗ୍ରାଫିକୁ ଚିତ୍ରଣ କରେ |ନମୁନାକୁ 250 C କୁ ଗରମ କରିବା ଦ୍ୱାରା LSFL ର ଦୃଶ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ, ଯାହାର ଦିଗ ଲେଜର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ |ଏହି ସଂରଚନାଗୁଡିକ LSFL-II ଭାବରେ ବର୍ଣ୍ଣିତ ହୋଇପାରେ ଏବଂ 247 ± 35 nm ର ଏକ ସ୍ପେସାଲ୍ ପିରିୟଡ୍ \ (\ Lambda _ \ mathrm {LSFL-II} \) ରହିପାରେ |ଉଚ୍ଚ ମୋଡ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ହେତୁ LSFL-II ସଙ୍କେତ FFT ରେ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୁଏ ନାହିଁ |ଯେହେତୁ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) 99.0 ରୁ 99.67 \ (\% \) କୁ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା (ଚିତ୍ର 1d - e), ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଅଞ୍ଚଳର ମୋଟେଇ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା, ଯାହା ଏକ DLIP ସଙ୍କେତର ରୂପ ଧାରଣ କଲା | ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରୁ ଅଧିକ ପାଇଁ |ତରଙ୍ଗ (ନିମ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି) ଏବଂ ଏହିପରି FFT ର କେନ୍ଦ୍ର ଆଡକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ |ଚିତ୍ର 1d ରେ ଥିବା ଗର୍ତ୍ତଗୁଡ଼ିକର ଧାଡିଗୁଡ଼ିକ LSFL-I22,27 ରୁ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ଗଠିତ ତଥାକଥିତ ଖୋଳାଗୁଡ଼ିକର ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ହୋଇପାରେ |ଏହା ସହିତ, LSFL-II ଛୋଟ ଏବଂ ଅନିୟମିତ ଭାବରେ ଆକୃତିର ହୋଇଥିବାର ଦେଖାଯାଏ |ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ ନାନୋଗ୍ରାଏନ୍ ମର୍ଫୋଲୋଜି ସହିତ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ବ୍ୟାଣ୍ଡର ହାରାହାରି ଆକାର ଏହି କ୍ଷେତ୍ରରେ ଛୋଟ ଅଟେ |ଏହା ସହିତ, ଏହି ନାନୋପାର୍ଟିକଲ୍ସର ଆକାର ବଣ୍ଟନ ଗରମ ହେବା ଅପେକ୍ଷା କମ୍ ବିଛିନ୍ନ ହୋଇଗଲା (କିମ୍ବା କମ୍ କଣିକା ଏକତ୍ରିକରଣକୁ ନେଇଗଲା) |ଗୁଣାତ୍ମକ ଭାବରେ, ଏହାକୁ ଯଥାକ୍ରମେ 1a, d କିମ୍ବା b, e ତୁଳନା କରି ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଇପାରେ |
ଯେହେତୁ ଓଭରଲପ୍ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ଆହୁରି 99.67% କୁ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା (ଚିତ୍ର 1 ଫ), କ୍ରମଶ obvious ସ୍ପଷ୍ଟ ଫ୍ରୋ ଯୋଗୁଁ ଏକ ଭିନ୍ନ ଟପୋଗ୍ରାଫି ଧୀରେ ଧୀରେ ଉତ୍ପନ୍ନ ହେଲା |ଅବଶ୍ୟ, ଏହି ଖୋଳାଗୁଡ଼ିକ ଚିତ୍ର 1c ତୁଳନାରେ କମ୍ ଅର୍ଡର ଏବଂ କମ୍ ଗଭୀର ଦେଖାଯାଏ |ଚିତ୍ରର ହାଲୁକା ଏବଂ ଅନ୍ଧକାର ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ କମ୍ ବିପରୀତତା ଗୁଣରେ ଦେଖାଯାଏ |C ରେ ଥିବା FFT ତୁଳନାରେ ଚିତ୍ର 1f ରେ FFT ଅର୍ଡିନେଟ୍ ର ଦୁର୍ବଳ ଏବଂ ଅଧିକ ବିସ୍ତୃତ ସଙ୍କେତ ଦ୍ୱାରା ଏହି ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଅଧିକ ସମର୍ଥିତ |ଫିଗର୍ସ 1 ବି ଏବଂ ଇ ତୁଳନା କରିବା ସମୟରେ ଛୋଟ ଷ୍ଟ୍ରିଆ ଗରମ ଉପରେ ମଧ୍ୟ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଥିଲା, ଯାହା ପରେ କନଫୋକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପି ଦ୍ୱାରା ନିଶ୍ଚିତ କରାଯାଇଥିଲା |
ପୂର୍ବ ପରୀକ୍ଷଣ ସହିତ, ଲେଜର ବିମର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ 90 \ (^ {\ circ} \) ଦ୍ୱାରା ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରାଯାଇଥିଲା, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଦିଗଟି ପୋଜିସନ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମକୁ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ଗତି କରିଥିଲା |ଡିମ୍ବିରି ଉପରେ2a-c ଗଠନ ଗଠନର ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଦେଖାଏ, \ (o _ {\ mathrm {p}} \) = 99.0% ଉତ୍ତପ୍ତ (କ), ଉତ୍ତପ୍ତ (ଖ) ଏବଂ ଉତ୍ତପ୍ତ 90 \ (^ {\ ସର୍କ} \) - କେସ୍ | ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ (ଗ) ସହିତ |ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର ନାନୋଟୋପୋଗ୍ରାଫି କଳ୍ପନା କରିବାକୁ, ରଙ୍ଗୀନ ବର୍ଗ ସହିତ ଚିହ୍ନିତ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ ଡିମ୍ବରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |2d, ଏକ ବର୍ଦ୍ଧିତ ସ୍କେଲରେ |
DLIP ବ୍ୟବହାର କରି ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକ |ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ ଚିତ୍ର 1 ସହିତ ସମାନ |ପ୍ରତିଛବି ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା \ (T_s \), ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ପଲ୍ସ ଓଭରଲପ୍ \ (o_ \ mathrm {p} \) କୁ ଦର୍ଶାଏ |ବ୍ଲାକ୍ ଇନ୍ସେଟ୍ ପୁନର୍ବାର ସଂପୃକ୍ତ ଫୁରିଅର୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମ ଦେଖାଏ |(D) - (i) ରେ ଥିବା ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି (a) - (c) ରେ ଚିହ୍ନିତ ସ୍ଥାନଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧି |
ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଚିତ୍ର 2b, c ର ଅନ୍ଧକାର ଅଞ୍ଚଳରେ ଥିବା ସଂରଚନାଗୁଡିକ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଏବଂ ତେଣୁ LSFL-II14, 20, 29, 30 ନାମରେ ନାମିତ | ଉଲ୍ଲେଖଯୋଗ୍ୟ, LSFL-I ର ଆଭିମୁଖ୍ୟ ମଧ୍ୟ ଘୂର୍ଣ୍ଣିତ ହୋଇଛି ( ଚିତ୍ର 2g, i), ଯାହା ସଂପୃକ୍ତ FFT ରେ s- ପ୍ରକାରର ସଙ୍କେତର ଦିଗରୁ ଦେଖାଯାଏ |LSFL-I ଅବଧିର ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ବି ପିରିୟଡ୍ ତୁଳନାରେ ବଡ଼ ଦେଖାଯାଏ, ଏବଂ ଏହାର ପରିସର ଚିତ୍ର 2c ରେ ଛୋଟ ଅବଧି ଆଡକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହୁଏ, ଯେପରି ଅଧିକ ବ୍ୟାପକ s- ପ୍ରକାର ସଙ୍କେତ ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ |ଏହିପରି, ବିଭିନ୍ନ ଉତ୍ତାପ ତାପମାତ୍ରାରେ ନମୁନାରେ ନିମ୍ନଲିଖିତ LSFL ସ୍ଥାନିକ ଅବଧି ପାଳନ କରାଯାଇପାରେ: \ (\ ଲମ୍ବଡା _ {\ mathrm {LSFL-I}} \) = 418 \ (\ pm 65 \) nm 21 ^ {\ circ } \) C (ଚିତ୍ର 2a), \ (\ ଲମ୍ବଡା _ {\ ଗଣିତ {LSFL-I}} \) = 445 \ (~ \ pm \) 67 nm ଏବଂ \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-II ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ 250} C (ଚିତ୍ର 2 ବି) ରେ 247 ± 35 nm |ଅପରପକ୍ଷେ, p-polarization ଏବଂ 250 \ (^ {\ circ} \) C ର ସ୍ଥାନିକ ଅବଧି \ (\ ଲମ୍ବଡା _ {\ mathrm {LSFL-I)) \) = 390 \ (\ pm 55 \) ସହିତ ସମାନ | ) nm ଏବଂ \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-II}} \) = 265 ± 35 nm (ଚିତ୍ର 2c) |
ଉଲ୍ଲେଖଯୋଗ୍ୟ, ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଦର୍ଶାଏ ଯେ କେବଳ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା ବ by ାଇ, ଭୂପୃଷ୍ଠ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଦୁଇଟି ଚରମ ମଧ୍ୟରେ ସୁଇଚ୍ କରିପାରିବ, (i) କେବଳ LSFL-I ଉପାଦାନ ଧାରଣ କରିଥିବା ଏକ ପୃଷ୍ଠ ଏବଂ (ii) LSFL-II ଦ୍ୱାରା ଆବୃତ ଏକ କ୍ଷେତ୍ର |କାରଣ ଧାତୁ ପୃଷ୍ଠରେ ଏହି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରକାରର LIPSS ଗଠନ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ସହିତ ଜଡିତ ଥିବାରୁ ଶକ୍ତି ବିଛିନ୍ନ ଏକ୍ସ-ରେ ବିଶ୍ଳେଷଣ (EDX) କରାଯାଇଥିଲା |ସାରଣୀ 1 ପ୍ରାପ୍ତ ଫଳାଫଳକୁ ସାରାଂଶିତ କରେ |ପ୍ରକ୍ରିୟାକୃତ ନମୁନା ପୃଷ୍ଠରେ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଥାନରେ ଅତି କମରେ ଚାରିଟି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରା ହାରାହାରି ପ୍ରତ୍ୟେକ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |ମାପଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରାରେ \ (T_ \ mathrm {s} \) ଏବଂ ନମୁନା ପୃଷ୍ଠର ବିଭିନ୍ନ ଅବସ୍ଥାରେ ଅଣସଂଗଠିତ କିମ୍ବା ସଂରଚନା କ୍ଷେତ୍ର ଧାରଣ କରିଥାଏ |ମାପରେ ଗଭୀର ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ବିଷୟରେ ମଧ୍ୟ ସୂଚନା ରହିଛି ଯାହା ଚିକିତ୍ସିତ ତରଳ ଅଞ୍ଚଳ ତଳେ ସିଧାସଳଖ ରହିଥାଏ, କିନ୍ତୁ EDX ବିଶ୍ଳେଷଣର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତା ମଧ୍ୟରେ |ତଥାପି, ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ ଯେ ଅମ୍ଳଜାନ ପରିମାଣ ପରିମାଣ କରିବାର କ୍ଷମତାରେ EDX ସୀମିତ, ତେଣୁ ଏଠାରେ ଏହି ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ କେବଳ ଗୁଣାତ୍ମକ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ ଦେଇପାରେ |
ନମୁନାଗୁଡିକର ଚିକିତ୍ସା ହୋଇନଥିବା ଅଂଶଗୁଡିକ ସମସ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରାରେ ବହୁ ପରିମାଣର ଅମ୍ଳଜାନ ଦେଖାଇ ନଥିଲା |ଲେଜର ଚିକିତ୍ସା ପରେ, ସମସ୍ତ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଅମ୍ଳଜାନ ସ୍ତର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା 31 |ଦୁଇଟି ଚିକିତ୍ସା ହୋଇନଥିବା ନମୁନା ମଧ୍ୟରେ ମ element ଳିକ ରଚନାରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ ବାଣିଜ୍ୟିକ ଇସ୍ପାତ ନମୁନା ପାଇଁ ଆଶା କରାଯାଉଥିଲା ଏବଂ ହାଇଡ୍ରୋକାର୍ବନ୍ ପ୍ରଦୂଷଣ ହେତୁ AISI 304 ଇସ୍ପାତ ପାଇଁ ଉତ୍ପାଦକଙ୍କ ଡାଟା ସିଟ୍ ତୁଳନାରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ କାର୍ବନ ମୂଲ୍ୟ ମିଳିଥିଲା |
ଗ୍ରୀଭ୍ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଗଭୀରତା ହ୍ରାସ ଏବଂ LSFL-I ରୁ LSFL-II କୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେବାର ସମ୍ଭାବ୍ୟ କାରଣ ବିଷୟରେ ଆଲୋଚନା କରିବା ପୂର୍ବରୁ, ପାୱାର୍ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା (PSD) ଏବଂ ଉଚ୍ଚତା ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଏ |
) ସ୍ଥିର ଅଂଶର ବୃଦ୍ଧି ଭାବରେ ବୁ understood ିଗଲା (k \ (\ le \) 0.7 µm \ (^ {- 1} \), ଦେଖାଯାଇନଥାଏ), ଅର୍ଥାତ୍ ସୁଗମତା |(ii) ଅନୁରୂପ ଅର୍ଥ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଉଚ୍ଚତା ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ |ପୋଜିସନ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମ ଗତିର ଆଭିମୁଖ୍ୟ \ (\ vec {v} \) ସହିତ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା \ (T_s \), ଓଭରଲପ୍ \ (o _ {\ mathrm {p}} \), ଏବଂ ଲେଜର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ E କୁ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକର ପ୍ରଭାବକୁ ପରିମାଣ କରିବା ପାଇଁ, x କିମ୍ବା y ଦିଗରେ ସମସ୍ତ ଏକ-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ (1D) ପାୱାର୍ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା (PSDs) ହାରାହାରି ସେଟ୍ କରି ପ୍ରତ୍ୟେକ ପାରାମିଟର ପାଇଁ ଅତି କମରେ ତିନିଟି SEM ପ୍ରତିଛବିରୁ ହାରାହାରି ସ୍ ized ାଭାବିକ ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ସୃଷ୍ଟି କରାଯାଇଥିଲା |ସଂପୃକ୍ତ ଗ୍ରାଫ୍ ଚିତ୍ର 3i ରେ ସିଗ୍ନାଲ୍ ର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶିଫ୍ଟ ଏବଂ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମରେ ଏହାର ଆପେକ୍ଷିକ ଅବଦାନକୁ ଦର୍ଶାଉଛି |
ଡିମ୍ବିରି ଉପରେ3ia, c, e, DLIP ଶିଖର \ (k _ {\ mathrm {DLIP}} ~ = ~ 2 \ pi \) (4.5 µm) \ (^ {- 1} \) = 1.4 µm \ (^ {-) 1} \) କିମ୍ବା ଅନୁରୂପ ଉଚ୍ଚ ହାରମୋନିକ୍ସ ଯେହେତୁ ଓଭରଲପ୍ ବ increases େ \ (o _ {\ mathrm {p)) \) |ମ fundamental ଳିକ ପ୍ରଶସ୍ତତାର ବୃଦ୍ଧି LRIB ସଂରଚନାର ଏକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ବିକାଶ ସହିତ ଜଡିତ ଥିଲା |ଉଚ୍ଚ ହାରମୋନିକ୍ସର ପ୍ରଶସ୍ତତା ope ାଲର ଖାଲ ସହିତ ବ increases େ |ସୀମିତ ପରିସ୍ଥିତି ପରି ଆୟତାକାର କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ, ଆନୁମାନିକତା ସର୍ବାଧିକ ସଂଖ୍ୟକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଆବଶ୍ୟକ କରେ |ତେଣୁ, PSD ରେ ପାଖାପାଖି 1.4 µm \ (^ {- 1} \) ଏବଂ ଅନୁରୂପ ହାରମୋନିକ୍ସ ଗ୍ରୀଭ୍ ଆକୃତି ପାଇଁ ଗୁଣାତ୍ମକ ପାରାମିଟର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |
ଅପରପକ୍ଷେ, ଚିତ୍ର 3 (i) b, d, f ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାର PSD ସଂପୃକ୍ତ ହାରମୋନିକ୍ସରେ କମ୍ ସଙ୍କେତ ସହିତ ଦୁର୍ବଳ ଏବଂ ପ୍ରଶସ୍ତ ଶିଖରକୁ ଦର୍ଶାଏ |ଏହା ସହିତ, ଡିମ୍ବିରିରେ |3 (i) f ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ମଧ୍ୟ ମ fundamental ଳିକ ସଙ୍କେତକୁ ଅତିକ୍ରମ କରେ |ଏହା ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାର ଅଧିକ ଅନିୟମିତ ଏବଂ କମ୍ ଉଚ୍ଚାରଣିତ DLIP ସଂରଚନାକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରେ (\ (T_s \) = 21 \ (^ \ circ \) C ତୁଳନାରେ) |ଅନ୍ୟ ଏକ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଯେହେତୁ ଓଭରଲପ୍ \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ବ increases େ, ଫଳସ୍ୱରୂପ LSFL-I ସଙ୍କେତ ଏକ ଛୋଟ ତରଙ୍ଗ (ଅଧିକ ସମୟ) ଆଡକୁ ଗତି କରେ |ଏହାକୁ DLIP ମୋଡର ଧାରଗୁଡ଼ିକର ବର୍ଦ୍ଧିତ ତୀକ୍ଷ୍ଣତା ଏବଂ ଘଟଣାର କୋଣରେ ସମ୍ପୃକ୍ତ ସ୍ଥାନୀୟ ବୃଦ୍ଧି ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇପାରେ |ଏହି ଧାରା ଅନୁସରଣ କରି, LSFL-I ସଙ୍କେତର ବିସ୍ତାରକୁ ମଧ୍ୟ ବର୍ଣ୍ଣନା କରାଯାଇପାରେ |ଖାଲ ଖାଲ ସହିତ, DLIP ସଂରଚନାର ତଳ ଏବଂ ଉପରେ ମଧ୍ୟ ସମତଳ ଅଞ୍ଚଳ ଅଛି, ଯାହାକି LSFL-I ଅବଧିଗୁଡିକର ଏକ ବ୍ୟାପକ ସୀମା ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ |ଅତ୍ୟଧିକ ଶୋଷଣକାରୀ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ, LSFL-I ଅବଧି ସାଧାରଣତ as ଅନୁମାନ କରାଯାଏ:
ଯେଉଁଠାରେ \ (\ ଥା \) ହେଉଛି ଘଟଣାର କୋଣ, ଏବଂ ସବସ୍କ୍ରିପ୍ସ୍ଟସ୍ s ଏବଂ p ବିଭିନ୍ନ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ କୁ ସୂଚିତ କରେ |
ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ ଯେ DLIP ସେଟଅପ୍ ପାଇଁ ଘଟଣାର ବିମାନ ସାଧାରଣତ the ପୋଜିସନ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମର ଗତି ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ରହିଥାଏ, ଚିତ୍ର 4 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି (ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ପଦ୍ଧତି ବିଭାଗ ଦେଖନ୍ତୁ) |ତେଣୁ, s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍, ଏକ ନିୟମ ଅନୁଯାୟୀ, ମଞ୍ଚର ଗତିବିଧି ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଅଟେ, ଏବଂ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଏହା ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଅଟେ |ସମୀକରଣ ଅନୁଯାୟୀ |(1), s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ, ଏକ ବିସ୍ତାର ଏବଂ LSFL-I ସଙ୍କେତର ଛୋଟ ତରଙ୍ଗ ଆଡକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେବାର ଆଶା କରାଯାଏ |ଟ୍ରେଞ୍ଚର ଗଭୀରତା ବ as ଼ିବା ସହିତ ଏହା \ (\ ଥା \) ଏବଂ କୋଣାର୍କ ପରିସର \ (\ ଥା \ pm \ ଡେଲଟା \ ଥା \) ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ ହୋଇଥାଏ |ଚିତ୍ର 3ia, c, e ରେ LSFL-I ଶିଖରଗୁଡିକ ତୁଳନା କରି ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ |
ଡିମ୍ବିରିରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ଫଳାଫଳ ଅନୁଯାୟୀ |ଡିମ୍ବିରିରେ ଥିବା PSD ରେ 1c, LSFL \ (_ \ mathrm {edge} \) ମଧ୍ୟ ଦୃଶ୍ୟମାନ ହୁଏ |3ieଡିମ୍ବିରି ଉପରେ3ig, h p-polarization ପାଇଁ PSD ଦେଖାଏ |ଉତ୍ତପ୍ତ ଏବଂ ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନା ମଧ୍ୟରେ DLIP ଶିଖର ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅଧିକ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୁଏ |ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, LSFL-I ରୁ ସିଗ୍ନାଲ୍ DLIP ଶିଖରର ଉଚ୍ଚ ହାରମୋନିକ୍ସ ସହିତ ଓଭରଲିପ୍ ହୁଏ, ଲେଜିଙ୍ଗ୍ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ନିକଟରେ ଥିବା ସିଗନାଲ୍ କୁ ଯୋଡିଥାଏ |
ଫଳାଫଳକୁ ଅଧିକ ବିସ୍ତୃତ ଭାବରେ ଆଲୋଚନା କରିବା ପାଇଁ, ଚିତ୍ର 3ii ରେ ବିଭିନ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ DLIP ର line ଖ୍ୟ ଉଚ୍ଚତା ବଣ୍ଟନର ଡାଲି ମଧ୍ୟରେ ଗଠନମୂଳକ ଗଭୀରତା ଏବଂ ଓଭରଅପ୍ ଦେଖାଯାଏ |DLIP ସଂରଚନାର ମଧ୍ୟଭାଗରେ ଦଶଟି ବ୍ୟକ୍ତିଗତ ଭୂଲମ୍ବ ଉଚ୍ଚତା ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ହାରାହାରି ଭୂପୃଷ୍ଠର ଭୂଲମ୍ବ ଉଚ୍ଚତା ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ପ୍ରାପ୍ତ ହେଲା |ପ୍ରତ୍ୟେକ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ତାପମାତ୍ରା ପାଇଁ, ନାଡିର ଓଭରଲପ୍ ସହିତ ଗଠନର ଗଭୀରତା ବ increases େ |ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାର ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ 0.87 µm ଏବଂ p-polarization ପାଇଁ 1.06 µm ମୂଲ୍ୟର ହାରାହାରି ଶିଖର-ଟୁ-ପାଇକ୍ (pvp) ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଗ୍ରୀଭ୍ ଦେଖାଏ |ଏହାର ବିପରୀତରେ, ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାର s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଏବଂ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଯଥାକ୍ରମେ 1.75 µm ଏବଂ 2.33 µm pvp ଦେଖାଏ |ଡିମ୍ବିରିରେ ଉଚ୍ଚତା ପ୍ରୋଫାଇଲରେ ସଂପୃକ୍ତ pvp ଚିତ୍ରିତ |3iiପ୍ରତ୍ୟେକ PvP ହାରାହାରି ଆଠଟି ଏକକ PvP ହାରାହାରି ଗଣନା କରାଯାଏ |
ଏହା ସହିତ, ଡିମ୍ବିରିରେ |3iig, h ପୋଜିସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଗ୍ରୀଭ୍ ଗତି ସହିତ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଉଚ୍ଚତା ବଣ୍ଟନକୁ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ଦେଖାଏ |ପି-ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଦିଗଟି ଗଭୀରର ଗଭୀରତା ଉପରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ କାରଣ ଏହା 1.75 µm pvp ରେ s-polarization ତୁଳନାରେ 2.33 µm ରେ ସାମାନ୍ୟ ଅଧିକ pvp ରେ ପରିଣତ ହୁଏ |ଏହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ପୋଜିସନ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମ ସିଷ୍ଟମର ଗ୍ରୀଭ୍ ଏବଂ ଗତି ସହିତ ଅନୁରୂପ ଅଟେ |P- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ (ଚିତ୍ର 2f, h ଦେଖନ୍ତୁ) ତୁଳନାରେ s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏକ ଛୋଟ ଗଠନ ଦ୍ୱାରା ଏହି ପ୍ରଭାବ ହୋଇପାରେ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ବିଭାଗରେ ଅଧିକ ଆଲୋଚନା ହେବ |
ଆଲୋଚନାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନା କ୍ଷେତ୍ରରେ ମୁଖ୍ୟ LIPS ଶ୍ରେଣୀ (LSFL-I ରୁ LSFL-II) ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେତୁ ଗ୍ରୀଭ୍ ଗଭୀରତାର ହ୍ରାସକୁ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରିବା |ତେଣୁ ନିମ୍ନଲିଖିତ ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ଦିଅ:
ପ୍ରଥମ ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ଦେବାକୁ, ଅବ୍ଲିସନ୍ ହ୍ରାସ ପାଇଁ ଦାୟୀ ଯନ୍ତ୍ରକ consider ଶଳକୁ ବିଚାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ସାଧାରଣ ଘଟଣାରେ ଗୋଟିଏ ନାଡ ପାଇଁ, ଅବ୍ଲିସନ୍ ଗଭୀରତାକୁ ବର୍ଣ୍ଣନା କରାଯାଇପାରେ:
ଯେଉଁଠାରେ \ (\ delta _ {\ mathrm {E}} \) ହେଉଛି ଶକ୍ତି ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତା, \ (\ Phi \) ଏବଂ \ (\ Phi _ {\ mathrm {th}} \) ହେଉଛି ଅବଶୋଷଣ ଫ୍ଲୁଏନ୍ସ ଏବଂ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଫ୍ଲୁଏନ୍ସ | ସୀମା ଯଥାକ୍ରମେ 34
ଗାଣିତିକ ଦୃଷ୍ଟିରୁ, ଶକ୍ତି ଅନୁପ୍ରବେଶର ଗଭୀରତା ଆବ୍ଲେସନ୍ ଗଭୀରତା ଉପରେ ବହୁଗୁଣିତ ପ୍ରଭାବ ପକାଉଥିବାବେଳେ ଶକ୍ତିର ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏକ ଲୋଗାରିଥମିକ୍ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |ତେଣୁ ସ୍ flu ଚ୍ଛତା ପରିବର୍ତ୍ତନ \ (\ Delta z \) କୁ ପ୍ରଭାବିତ କରେ ନାହିଁ ଯେପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ \ (\ Phi ~ \ gg ~ \ Phi _ {\ mathrm {th}} \) |ଅବଶ୍ୟ, ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, କ୍ରୋମିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନ ହେତୁ) Cr-Cr ବଣ୍ଡ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ Cr-O35 ବଣ୍ଡକୁ ନେଇଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଆବ୍ଲେସନ୍ ସୀମା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ |ଫଳସ୍ୱରୂପ, \ (\ Phi ~ \ gg ~ \ Phi _ {\ mathrm {th}} \) ଆଉ ସନ୍ତୁଷ୍ଟ ନୁହେଁ, ଯାହା ଶକ୍ତି ଫ୍ଲକ୍ସ ସାନ୍ଦ୍ରତା ହ୍ରାସ ସହିତ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଗଭୀରତାର ଶୀଘ୍ର ହ୍ରାସ ଘଟାଏ |ଏହା ସହିତ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଅବସ୍ଥା ଏବଂ LSFL-II ଅବଧି ମଧ୍ୟରେ ଏକ ସମ୍ପର୍କ ଜଣାଶୁଣା, ଯାହା ନାନୋଷ୍ଟ୍ରକଚରର ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇପାରେ 30,35 |ତେଣୁ, ଅବଶୋଷଣ ଫ୍ଲୁଏନ୍ସର ସଠିକ୍ ପୃଷ୍ଠ ବଣ୍ଟନ \ (\ Phi \) ଗଠନମୂଳକ ଅବଧି ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଘନତା ମଧ୍ୟରେ ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟାର ଜଟିଳ ଗତିଶୀଳତା ହେତୁ ହୋଇଥାଏ |ଅବଧି ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି, ନାନୋଷ୍ଟ୍ରକଚର କ୍ଷେତରେ ତୀବ୍ର ବୃଦ୍ଧି, ଭୂପୃଷ୍ଠ ପ୍ଲାଜାମନର ଉତ୍ତେଜନା, ଅସାଧାରଣ ଆଲୋକ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ କିମ୍ବା ବିଛାଇବା 17,19,20,21 ହେତୁ ଅବଶୋଷିତ ଶକ୍ତି ପ୍ରବାହର ବଣ୍ଟନକୁ ଦୃ strongly ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |ତେଣୁ \ ^ {-1} \ ପାଖାପାଖି \ ଡେଲଟା _ {\ ଗଣିତ {E}} ^ {- 1} \) ସମଗ୍ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ପାଇଁ |ଯେହେତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମର ଘନତା କଠିନତା ସମୟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ [26], ନାମକରଣ ପ୍ରଭାବ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ ସାମଗ୍ରୀରେ ଚିତ୍ର S1 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋଗ୍ରାଫ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସୂଚାଇଥାଏ |
ଏହି ପ୍ରଭାବଗୁଡିକ ଆଂଶିକ ଚିତ୍ର 1d, e ଏବଂ 2b, c ଏବଂ 3 (ii) b, d, f ରେ ଛୋଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗଠନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଅଳ୍ପ ଗଭୀର ଗଭୀରତାକୁ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରେ |
LSFL-II ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରବୃତ୍ତ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ 14,29,30,36,37 ଉପରେ ଗଠିତ ବୋଲି ଜଣାଶୁଣା |ପରବର୍ତ୍ତୀ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଘନତା ବିଶେଷ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |କରାଯାଇଥିବା EDX ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦ୍ୱାରା ସଂରଚନା ପୃଷ୍ଠରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନ ପ୍ରକାଶ ପାଇଲା |ଏହିପରି, ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନା ପାଇଁ, ପରିବେଶ ଅମ୍ଳଜାନ ଗ୍ୟାସୀୟ କଣିକାର ଆଂଶିକ ଗଠନ ଏବଂ ଆଂଶିକ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନରେ ସହାୟକ ହୁଏ |ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉଭୟ ଘଟଣା ଏକ ମହତ୍ contribution ପୂର୍ଣ ଅବଦାନ ଦେଇଥାଏ |ଅପରପକ୍ଷେ, ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନା ପାଇଁ, ବିଭିନ୍ନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ସ୍ଥିତିର ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (SiO \ (_ {\ mathrm {2}} \), Cr \ (_ {\ mathrm {n}} \) O \ (_ {\ mathrm { m}} \), Fe \ (_ {\ mathrm {n}} \) O \ (_ {\ mathrm {m}} \), NiO, ଇତ୍ୟାଦି) 38 ସପକ୍ଷରେ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଛି |ଆବଶ୍ୟକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ସହିତ, ସବୱେଭେଲେଙ୍ଗ୍ ରୁଗ୍ନେସ୍ ର ଉପସ୍ଥିତି, ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାନିକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି LIPSS (HSFL), ଆବଶ୍ୟକ ସବୱେଭଲେଙ୍ଗଥ (d- ପ୍ରକାର) ତୀବ୍ରତା ମୋଡ୍ 14,30 ଗଠନ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ |ଅନ୍ତିମ LSFL-II ତୀବ୍ରତା ମୋଡ୍ ହେଉଛି HSFL ପ୍ରଶସ୍ତତା ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଘନତାର କାର୍ଯ୍ୟ |ଏହି ଧାରାର କାରଣ ହେଉଛି HSFL ଦ୍ୱାରା ବିଛା ଯାଇଥିବା ଆଲୋକର ଦୂର-କ୍ଷେତ୍ର ହସ୍ତକ୍ଷେପ ଏବଂ ବସ୍ତୁରେ ପ୍ରତିଫଳିତ ଆଲୋକ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପଦାର୍ଥ ଭିତରେ ବିସ୍ତାର 20,29,30 |ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ ସାମଗ୍ରୀ ବିଭାଗରେ ଚିତ୍ର S2 ରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ pattern ାଞ୍ଚାର ଧାରର SEM ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକ ପୂର୍ବ-ବିଦ୍ୟମାନ HSFL ର ସୂଚକ ଅଟେ |ଏହି ବାହ୍ୟ ଅଞ୍ଚଳ ତୀବ୍ରତା ବଣ୍ଟନର ପାରିପାର୍ଶ୍ୱିକ ଭାବରେ ଦୁର୍ବଳ ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା HSFL ଗଠନକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ |ତୀବ୍ରତା ବଣ୍ଟନର ସମୃଦ୍ଧତା ହେତୁ, ଏହି ପ୍ରଭାବ ସ୍କାନିଂ ଦିଗରେ ମଧ୍ୟ ହୋଇଥାଏ |
ନମୁନା ଗରମ LSFL-II ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବିଭିନ୍ନ ଉପାୟରେ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |ଗୋଟିଏ ପଟେ, ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା \ (T_ \ mathrm {s} \) ର ବୃଦ୍ଧି, ତରଳ ସ୍ତରର ଘନତା ଅପେକ୍ଷା କଠିନତା ଏବଂ ଥଣ୍ଡା ହାର ଉପରେ ଅଧିକ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |ଏହିପରି, ଏକ ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାର ତରଳ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ଅଧିକ ସମୟ ପାଇଁ ପରିବେଶ ଅମ୍ଳଜାନର ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସିଥାଏ |ଏହା ସହିତ, ବିଳମ୍ବିତ କଠିନୀକରଣ ଜଟିଳ କନଭେକ୍ଟିଭ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବିକାଶକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ ଯାହା ଅମ୍ଳଜାନ ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ସର ତରଳ ଷ୍ଟିଲ ସହିତ ମିଶ୍ରଣକୁ ବ increase ାଇଥାଏ |କେବଳ ବିସ୍ତାର ଦ୍ formed ାରା ଗଠିତ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଘନତାକୁ ତୁଳନା କରି ଏହା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇପାରିବ (\ (\ ଲମ୍ବଡା _ \ mathrm {diff} = \ sqrt {D ~ \ times ~ t_ \ mathrm {s}} ~ \ le ~ 15 \) nm) ସଂପୃକ୍ତ କୋଏଗୁଲେସନ୍ ସମୟ ହେଉଛି \ (t_ \ mathrm {s} ~ \ le ~ 200 \) ns, ଏବଂ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ \ (D ~ \ le \) 10 \ (^ {- 5} \) ସେମି \ (^ 2 \) / s) LSFL-II ଗଠନରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ ଘନତା ଦେଖାଗଲା କିମ୍ବା ଆବଶ୍ୟକ ହେଲା |ଅନ୍ୟ ପଟେ, ଉତ୍ତାପ HSFL ଗଠନ ଉପରେ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ ଏବଂ LSFL-II d- ପ୍ରକାରର ତୀବ୍ରତା ମୋଡକୁ ଯିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ବିଛିନ୍ନ ବସ୍ତୁଗୁଡିକ |ଭୂପୃଷ୍ଠ ତଳେ ଫସି ରହିଥିବା ନାନୋଭଏଡଗୁଡିକର ଏକ୍ସପୋଜର, HSFL39 ଗଠନରେ ସେମାନଙ୍କର ସମ୍ପୃକ୍ତିକୁ ସୂଚିତ କରେ |ଏହି ତ୍ରୁଟିଗୁଡିକ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ତୀବ୍ରତା s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକ ହେତୁ HSFL ର ବ elect ଦ୍ୟୁତିକ ଚୁମ୍ବକୀୟ ଉତ୍ପତ୍ତି ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରିପାରନ୍ତି 14,17,19,29 |ଏହା ସହିତ, ଏହି ଉତ୍ପାଦିତ ତୀବ୍ରତା ମୋଡ୍ ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ନାନୋଭଏଡ୍ 19 ସହିତ ଅଧିକ ସମାନ |ତେଣୁ, HSFL ର ବୃଦ୍ଧି ଘଟଣାର କାରଣ \ (T_ \ mathrm {s}) ବ as ଼ିବା ସହିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ତ୍ରୁଟିର ଗତିଶୀଳତାର ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇପାରେ |
ସମ୍ପ୍ରତି ଏହା ଦର୍ଶାଯାଇଛି ଯେ ସିଲିକନ୍ ର କୁଲିଂ ହାର ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଇଣ୍ଟରସ୍ଟିସିଆଲ୍ ସୁପରସାଟୁରେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପାରାମିଟର ଅଟେ ଏବଂ ଏହିପରି ଭାବରେ ବିସ୍ଥାପନ 40,41 ଗଠନ ସହିତ ପଏଣ୍ଟ ତ୍ରୁଟି ସଂଗ୍ରହ ପାଇଁ |ଶୁଦ୍ଧ ଧାତୁର ମଲିକୁଲାର ଡାଇନାମିକ୍ସ ସିମୁଲେସନ୍ ଦର୍ଶାଇଛି ଯେ ଦ୍ରୁତ ପୁନ ry ସ୍ଥାପନ ସମୟରେ ଖାଲିଥିବା ସ୍ଥାନଗୁଡିକ ସୁପରସାଟୁରେଟ୍ ହୁଏ, ଏବଂ ଧାତୁରେ ଖାଲିଥିବା ସ୍ଥାନଗୁଡିକ ସମାନ manner ଙ୍ଗରେ ଚାଲିଥାଏ 42,43,44 |ଏଥିସହ, ରୂପା ର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଅଧ୍ୟୟନଗୁଡ଼ିକ ପଏଣ୍ଟ ତ୍ରୁଟି ଜମା ହେତୁ ଭଏଡ୍ ଏବଂ କ୍ଲଷ୍ଟର ଗଠନ ପ୍ରଣାଳୀ ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇଛନ୍ତି |ତେଣୁ, ନମୁନାର ତାପମାତ୍ରାରେ ବୃଦ୍ଧି \ (T_ \ mathrm {s} \) ଏବଂ ଫଳସ୍ୱରୂପ, ଥଣ୍ଡା ହାରରେ ହ୍ରାସ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇପାରେ, ଯାହାକି HSFL ର ନ୍ୟୁକ୍ଲିୟ |
ଯଦି ଖାଲି ସ୍ଥାନଗୁଡିକ ଗୁହାଳର ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ଏବଂ ତେଣୁ HSFL, ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା \ (T_s \) ର ଦୁଇଟି ପ୍ରଭାବ ରହିବା ଉଚିତ |ଗୋଟିଏ ପଟେ, \ (T_s \) ପୁନ ry ସ୍ଥାପନ ହାରକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରେ ଏବଂ ଫଳସ୍ୱରୂପ, ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା ସ୍ଫଟିକରେ ପଏଣ୍ଟ ତ୍ରୁଟିର ଏକାଗ୍ରତା (ଖାଲି ଏକାଗ୍ରତା) |ଅନ୍ୟ ପଟେ, ଏହା କଠିନ ହେବା ପରେ ଥଣ୍ଡା ହାରକୁ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସ୍ଫଟିକ୍ 40,41 ରେ ପଏଣ୍ଟ ତ୍ରୁଟିର ବିସ୍ତାରକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |ଏହା ସହିତ, କଠିନୀକରଣ ହାର କ୍ରିଷ୍ଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ ଏବଂ ଏହିପରି ଅତ୍ୟଧିକ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଅଟେ, ଯେପରି ପଏଣ୍ଟ ତ୍ରୁଟିର ବିସ୍ତାର 42,43 |ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ପଦାର୍ଥର ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହେତୁ, ଆଲୋକ ଏବଂ ପଦାର୍ଥର ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟା ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ହୋଇଯାଏ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଶକ୍ତିର ଏହି ନିର୍ଣ୍ଣୟିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମୁକ୍ତିକୁ ବ ifies ାଇଥାଏ |ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ, ଏହି ଆଚରଣ ଗୋଟିଏ ଶସ୍ୟର ଆକାର ଦ୍ୱାରା ସୀମିତ ହୋଇପାରେ |ବାସ୍ତବରେ, ଶସ୍ୟ ଆଭିମୁଖ୍ୟ 46,47 ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି LIPSS ଗଠନ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇଛି |ତେଣୁ, ସ୍ଫଟିକୀକରଣ ହାର ଉପରେ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରା \ (T_s \) ର ପ୍ରଭାବ ଶସ୍ୟ ଆଭିମୁଖ୍ୟର ପ୍ରଭାବ ପରି ଶକ୍ତିଶାଳୀ ହୋଇନପାରେ |ଏହିପରି, ବିଭିନ୍ନ ଶସ୍ୟର ଭିନ୍ନ କ୍ରିଷ୍ଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ ଯଥାକ୍ରମେ ଶୂନ୍ୟତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ HSFL କିମ୍ବା LSFL-II ର ଏକୀକରଣ ପାଇଁ ଏକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ବ୍ୟାଖ୍ୟା ପ୍ରଦାନ କରେ |
ଏହି ଅନୁମାନର ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ସୂଚକକୁ ସ୍ପଷ୍ଟ କରିବାକୁ, କଞ୍ଚା ନମୁନାଗୁଡିକ ଭୂପୃଷ୍ଠର ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ ଶସ୍ୟ ଗଠନକୁ ପ୍ରକାଶ କରିବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା |ଡିମ୍ବିରିରେ ଶସ୍ୟର ତୁଳନାS3 ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ ପଦାର୍ଥରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ଏହା ସହିତ, LSFL-I ଏବଂ LSFL-II ଉତ୍ତପ୍ତ ନମୁନାରେ ଗୋଷ୍ଠୀରେ ଦେଖାଗଲା |ଏହି କ୍ଲଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ଆକାର ଏବଂ ଜ୍ୟାମିତି ଶସ୍ୟ ଆକାର ସହିତ ଅନୁରୂପ ଅଟେ |
ଅଧିକନ୍ତୁ, HSFL କେବଳ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ପରିସରରେ କମ୍ ଫ୍ଲକ୍ସ ସାନ୍ଧ୍ରତା ମଧ୍ୟରେ ଘଟିଥାଏ, ଏହାର କନଭେକ୍ଟିଭ୍ ଉତ୍ପତ୍ତି 19,29,48 |ତେଣୁ, ପରୀକ୍ଷଣରେ, ଏହା ବୋଧହୁଏ କେବଳ ବିମ୍ ପ୍ରୋଫାଇଲର ପାରିପାର୍ଶ୍ୱରେ ଘଟିଥାଏ |ତେଣୁ, ଅଣ-ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ କିମ୍ବା ଦୁର୍ବଳ ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ପୃଷ୍ଠରେ HSFL ଗଠନ ହେଲା, ଯାହା ଚିକିତ୍ସିତ ଏବଂ ଚିକିତ୍ସା ହୋଇନଥିବା ନମୁନାଗୁଡ଼ିକର ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ତୁଳନା କରିବା ସମୟରେ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଗଲା (ଟେବୁଲ୍ ରେଫ୍ଟାବ୍ ଦେଖନ୍ତୁ: ଉଦାହରଣ) |ଏହା ଅନୁମାନକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ମୁଖ୍ୟତ the ଲେଜର ଦ୍ୱାରା ଅନୁପ୍ରାଣିତ |
ଇଣ୍ଟର-ପଲ୍ସ ଫିଡବ୍ୟାକ୍ ହେତୁ LIPSS ଗଠନ ସାଧାରଣତ pul ଡାଲି ସଂଖ୍ୟା ଉପରେ ନିର୍ଭରଶୀଳ, HSFL ଗୁଡ଼ିକୁ ବଡ଼ ସଂରଚନା ଦ୍ୱାରା ବଦଳାଯାଇପାରେ କାରଣ ନାଡ ଓଭରଲପ୍ ବ 19 ିଥାଏ |କମ୍ ନିୟମିତ HSFL LSFL-II ଗଠନ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ କମ୍ ନିୟମିତ ତୀବ୍ରତା pattern ାଞ୍ଚା (d- ମୋଡ୍) ରେ ଫଳାଫଳ ଦିଏ |ତେଣୁ, ଯେହେତୁ \ (o_ \ mathrm {p} \) ର ଓଭରଲେପ୍ ବ increases େ (ଡି ରୁ ଚିତ୍ର 1 ଦେଖନ୍ତୁ), LSFL-II ର ନିୟମିତତା କମିଯାଏ |
ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ ଲେଜର ସଂରଚନା DLIP ଚିକିତ୍ସିତ ଷ୍ଟେନଲେସ ଷ୍ଟିଲର ଭୂପୃଷ୍ଠ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାର ପ୍ରଭାବ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରାଯାଇଥିଲା |ଏହା ଜଣାପଡିଛି ଯେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କୁ 21 ରୁ 250 ° C ଗରମ କରିବା ଦ୍ the ାରା s- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ରେ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଗଭୀରତା 1.75 ରୁ 0.87 µm ଏବଂ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ରେ 2.33 ରୁ 1.06 µm ହ୍ରାସ ହୁଏ |ଏହି ହ୍ରାସ LSFL-I ରୁ LSFL-II କୁ LIPSS ପ୍ରକାରର ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେତୁ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ଏକ ଉଚ୍ଚ ନମୁନା ତାପମାତ୍ରାରେ ଲେଜର ଦ୍ ind ାରା ନିର୍ମିତ ପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ସହିତ ଜଡିତ |ଏହା ସହିତ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ LSFL-II ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଫ୍ଲକ୍ସ ବ increase ାଇପାରେ |ଏହା ଅନୁମାନ କରାଯାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ ନାଡିର ଓଭରଲପ୍, ହାରାହାରି ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଏବଂ ହାରାହାରି ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର ସହିତ ଏହି ବ techn ଷୟିକ ପ୍ରଣାଳୀରେ, LSFL-II ର ଘଟଣା ମଧ୍ୟ ନମୁନା ଉତ୍ତାପ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଗତିଶୀଳତାର ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |LSFL-II ର ମିଶ୍ରଣ ଶସ୍ୟ ଆଭିମୁଖ୍ୟ-ନିର୍ଭରଶୀଳ ନାନୋଭଏଡ୍ ଗଠନ ହେତୁ ଅନୁମାନ କରାଯାଏ, ଯାହା LSFL-II ର ପୂର୍ବପୁରୁଷ ଭାବରେ HSFL କୁ ନେଇଥାଏ |ଏଥିସହ, ଗଠନମୂଳକ ଅବଧି ଏବଂ ଗଠନମୂଳକ ସମୟର ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଉପରେ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଦିଗର ପ୍ରଭାବ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯାଏ |ଏହା ଦେଖାଯାଏ ଯେ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଗଭୀରତା ଦୃଷ୍ଟିରୁ DLIP ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ |ସାମଗ୍ରିକ ଭାବରେ, ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ କଷ୍ଟୋମାଇଜଡ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ s ାଞ୍ଚା ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ DLIP ଆବ୍ଲେସନ୍ ର ଗଭୀରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ଏକ ସେଟ୍ ଖୋଲିଥାଏ |ଶେଷରେ, LSFL-I ରୁ LSFL-II କୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସମ୍ପୁର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ଉତ୍ତାପ ଚାଳିତ ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ କ୍ରମାଗତ ନାଡିର ଓଭରଲେପ୍ ସହିତ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାରରେ ସାମାନ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ଆଶା କରାଯାଏ |ଏହି ସମସ୍ତ ଦିଗଗୁଡିକ DLIP ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବିସ୍ତାର କରିବାର ଆଗାମୀ ଆହ୍ to ାନ ପାଇଁ ପ୍ରାସଙ୍ଗିକ, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ ବହୁଭୂଜ ସ୍କାନିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ବ୍ୟବହାର କରି 49 |ଉତ୍ତାପ ନିର୍ମାଣକୁ କମ୍ କରିବାକୁ, ନିମ୍ନଲିଖିତ ରଣନୀତି ଅନୁସରଣ କରାଯାଇପାରିବ: ବହୁମୁଖୀ ସ୍କାନରର ସ୍କାନିଂ ବେଗକୁ ଯଥାସମ୍ଭବ ଅଧିକ ରଖନ୍ତୁ, ବୃହତ ଲେଜର ସ୍ପଟ୍ ଆକାରର, ସ୍କାନିଂ ଦିଗକୁ ଅର୍ଥୋଗୋନାଲ୍ ଏବଂ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଅବ୍ଲିସନ୍ ବ୍ୟବହାର କରି |ସ୍ flu ଚ୍ଛତା 28. ଏହା ସହିତ, ଏହି ଧାରଣାଗୁଡ଼ିକ DLIP ବ୍ୟବହାର କରି ଉନ୍ନତ ପୃଷ୍ଠ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ପାଇଁ ଜଟିଳ ହାଇରାର୍କିକାଲ୍ ଟପୋଗ୍ରାଫି ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପଲିସଡ୍ ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ପ୍ଲେଟ୍ (X5CrNi18-10, 1.4301, AISI 304) 0.8 ମିମି ମୋଟା ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଥିଲା |ଭୂପୃଷ୍ଠରୁ କ any ଣସି ପ୍ରଦୂଷକ ଅପସାରଣ କରିବାକୁ, ନମୁନାଗୁଡିକ ଲେଜର ଚିକିତ୍ସା ପୂର୍ବରୁ ଇଥାନଲ ସହିତ ଭଲ ଭାବରେ ଧୋଇ ଦିଆଯାଇଥିଲା (ଇଥାନଲ୍ର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଏକାଗ୍ରତା \ (\ ge \) 99.9%) |
DLIP ସେଟିଂ ଚିତ୍ର 4 ରେ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି | ନମୁନାଗୁଡିକ ଏକ DLIP ସିଷ୍ଟମ ବ୍ୟବହାର କରି 12 ps ଅଲଟ୍ରାଶର୍ଟ ପଲ୍ସଡ ଲେଜର ଉତ୍ସ ସହିତ 532 nm ତରଙ୍ଗ ଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର 50 MHz ସହିତ ନିର୍ମିତ |ବିମ୍ ଶକ୍ତିର ସ୍ଥାନିକ ବଣ୍ଟନ ହେଉଛି ଗ uss ସିଆନ୍ |ସ୍ designed ତନ୍ତ୍ର ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଅପ୍ଟିକ୍ସ ନମୁନାରେ ର ar ଖ୍ୟ ସଂରଚନା ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଏକ ଡୁଆଲ୍-ବିମ୍ ଇଣ୍ଟରଫେରୋମେଟ୍ରିକ୍ ବିନ୍ୟାସ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |100 ମିଲିମିଟର ଫୋକାଲ୍ ଲମ୍ବ ବିଶିଷ୍ଟ ଏକ ଲେନ୍ସ 6.8 \ (^ \ ସର୍କ \) ର ଏକ ସ୍ଥିର କୋଣରେ ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ଦୁଇଟି ଅତିରିକ୍ତ ଲେଜର ବିମ୍ ସୁପର୍ମିଜ୍ କରେ, ଯାହା ପ୍ରାୟ 4.5 µm ସ୍ଥାନିକ ସମୟ ଦେଇଥାଏ |ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ସେଟଅପ୍ ବିଷୟରେ ଅଧିକ ସୂଚନା ଅନ୍ୟତ୍ର ମିଳିପାରିବ 50 |
ଲେଜର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପୂର୍ବରୁ, ନମୁନାକୁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକ ଗରମ ପ୍ଲେଟରେ ରଖାଯାଏ |ଗରମ ପ୍ଲେଟର ତାପମାତ୍ରା 21 ଏବଂ 250 ° C ରେ ସ୍ଥିର କରାଯାଇଥିଲା |ସମସ୍ତ ପରୀକ୍ଷଣରେ, ଅପ୍ଟିକ୍ସ ଉପରେ ଧୂଳି ଜମାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏକ ନିଷ୍କାସିତ ଉପକରଣ ସହିତ ମିଳିତ ଭାବରେ ସଙ୍କୋଚିତ ବାୟୁର ଏକ ଟ୍ରାନ୍ସଭର୍ ଜେଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଥିଲା |ସଂରଚନା ସମୟରେ ନମୁନାକୁ ସ୍ଥିର କରିବା ପାଇଁ ଏକ x, y ଷ୍ଟେଜ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ସେଟ୍ ଅପ୍ ହୋଇଛି |
ପୋଜିସନ୍ ଷ୍ଟେଜ୍ ସିଷ୍ଟମର ଗତି ଯଥାକ୍ରମେ 99.0 ରୁ 99.67 \ (\% \) ର ଡାଲି ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଓଭରଲପ୍ ପାଇବା ପାଇଁ 66 ରୁ 200 mm / s ମଧ୍ୟରେ ଭିନ୍ନ ଥିଲା |ସମସ୍ତ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର 200 kHz ରେ ସ୍ଥିର କରାଯାଇଥିଲା ଏବଂ ହାରାହାରି ଶକ୍ତି 4 W ଥିଲା, ଯାହାକି 20 μJ ର ନାଡ ପ୍ରତି ଶକ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରିଥିଲା |DLIP ପରୀକ୍ଷଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ବିମ୍ ବ୍ୟାସ ପ୍ରାୟ 100 µm, ଏବଂ ଫଳାଫଳ ପାଇକ ଲେଜର ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ହେଉଛି 0.5 J / cm \ (^ {2} \) |ୟୁନିଟ୍ କ୍ଷେତ୍ର ପାଇଁ ମୁକ୍ତ ହୋଇଥିବା ମୋଟ ଶକ୍ତି ହେଉଛି \ (o _ {\ mathrm {p}} \) = 99.0 \ (\% \), 100 J / cm ପାଇଁ 50 J / cm \ (^ 2 \) ଅନୁରୂପ ଶିଖର ସମ୍ମିଳିତ ଫ୍ଲୁଏନ୍ସ | \ (^ _ \ \ Mathrm {p)) \) = 99.5 \ (\% \) ଏବଂ 150 J / cm \ (^ 2 \) ପାଇଁ \ (o_ {\ mathrm {p}} \) ପାଇଁ | ) = 99.67 \ (\% \) |ଲେଜର ବିମର ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବାକୁ \ (\ lambda \) / 2 ପ୍ଲେଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପାରାମିଟର ସେଟ୍ ପାଇଁ, ନମୁନାରେ ପ୍ରାୟ 35 × 5 mm \ (^ {2} \) ର କ୍ଷେତ୍ର ଲେଖା ହୋଇଛି |Industrial ଦ୍ୟୋଗିକ ପ୍ରୟୋଗତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ସମସ୍ତ ସଂରଚନା ପରୀକ୍ଷଣ ପରିବେଶ ପରିସ୍ଥିତିରେ କରାଯାଇଥିଲା |
ନମୁନାଗୁଡିକର ମର୍ଫୋଲୋଜି ଯଥାକ୍ରମେ 50x ମ୍ୟାଗ୍ନିଫିକେସନ୍ ଏବଂ ଏକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଏବଂ ଭର୍ଟିକାଲ୍ ରିଜୋଲ୍ୟୁସନ୍ ସହିତ 170 nm ଏବଂ 3 nm ସହିତ ଏକ କନଫୋକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥିଲା |ସଂଗୃହିତ ଟପୋଗ୍ରାଫିକ୍ ତଥ୍ୟ ତାପରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବିଶ୍ଳେଷଣ ସଫ୍ଟୱେର୍ ବ୍ୟବହାର କରି ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଇଥିଲା |ISO 1661051 ଅନୁଯାୟୀ ଭୂମି ତଥ୍ୟରୁ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ବାହାର କରନ୍ତୁ |
6.0 kV ର ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ଭୋଲଟେଜରେ ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ ବ୍ୟବହାର କରି ନମୁନାଗୁଡ଼ିକୁ ବର୍ଣ୍ଣିତ କରାଯାଇଥିଲା |ନମୁନା ପୃଷ୍ଠର ରାସାୟନିକ ରଚନାକୁ 15 କେଭିର ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ଭୋଲଟେଜରେ ଏକ ଶକ୍ତି-ବିଛିନ୍ନ ଏକ୍ସ-ରେ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପି (EDS) ସଂଲଗ୍ନକ ବ୍ୟବହାର କରି ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଇଥିଲା |ଏହା ସହିତ, ନମୁନାଗୁଡିକର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରର ଗ୍ରାନୁଲାର୍ ମର୍ଫୋଲୋଜି ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା ପାଇଁ 50x ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ବିଶିଷ୍ଟ ଏକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା | ଏହାପୂର୍ବରୁ, ନମୁନାଗୁଡିକ ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏକାଗ୍ରତା 15–20 \ (\% \) ଏବଂ 1 \ (50) (^ \ ସର୍କ \) C ର କ୍ରମାଗତ ତାପମାତ୍ରାରେ ପାଞ୍ଚ ମିନିଟ୍ ପାଇଁ ଏକ ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ଦାଗରେ ରଖାଯାଇଥିଲା | - <\) ଯଥାକ୍ରମେ 5 \ (\% \) | ଏହାପୂର୍ବରୁ, ନମୁନାଗୁଡିକ ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏକାଗ୍ରତା 15–20 \ (\% \) ଏବଂ 1 \ (50) (^ \ ସର୍କ \) C ର କ୍ରମାଗତ ତାପମାତ୍ରାରେ ପାଞ୍ଚ ମିନିଟ୍ ପାଇଁ ଏକ ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ଦାଗରେ ରଖାଯାଇଥିଲା | - <\) ଯଥାକ୍ରମେ 5 \ (\% \) | Перед этим обрцы травили при постоянной акине 50 \ (^ \ circ \) С в течение пяти ми в краске из нержавеющей стали соляной и азотной чоклотами чиграций 15-20 \ (\% \) и 1 \ (- <\) 5 \ ( \% \) соответственно। ଏହାପୂର୍ବରୁ, ନମୁନାଗୁଡିକ ସ୍ଥିର ତାପମାତ୍ରା 50 \ (^ \ circ \) C ରେ ପାଞ୍ଚ ମିନିଟ୍ ପାଇଁ ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ପେଣ୍ଟରେ ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରିକ୍ ଏସିଡ୍ ସହିତ 15-20 \ (\% \) ଏବଂ 1 \ ( - <\) ଯଥାକ୍ରମେ 5 \ (\% \) |在 此 之前 ， \ \ \ \ 50 \ (^ \ circ \) C 的 恒温 蚀刻 – – – – – – – 15–20 \ (\% \) 和 1 \ (- <\) 5 \ (\% \) ， 分别。在 此 之前 \ \ \ \ \ 50 \ (^ \ circ \) C (\% \) ， 分别。ଏହାପୂର୍ବରୁ, ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରିକ୍ ଏସିଡ୍ 15-20 \ (\% \) ଏବଂ 1 ର ଏକାଗ୍ରତା ସହିତ ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ପାଇଁ ଏକ ଦାଗ ସମାଧାନରେ 50 \ (^ \ circ \) C ର କ୍ରମାଗତ ତାପମାତ୍ରାରେ ନମୁନାଗୁଡିକ ପାଞ୍ଚ ମିନିଟ୍ ପାଇଁ ଉଠାଯାଇଥିଲା | \।(- <\) 5 \ (\% \) соответственно। (- <\) ଯଥାକ୍ରମେ 5 \ (\% \) |
ଦୁଇଟି ବିମ୍ DLIP ସେଟଅପ୍ ର ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ସେଟଅପ୍ ର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର, (1) ଏକ ଲେଜର ବିମ୍, (2) a \ (\ lambda \) / 2 ପ୍ଲେଟ୍, (3) ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ବିନ୍ୟାସ ସହିତ DLIP ମୁଣ୍ଡ, (4) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ) ଏକ ଗରମ ପ୍ଲେଟ୍, (5) କ୍ରସ୍-ଫ୍ଲୁଇଡିକ୍, (6) x, y ପୋଜିସନ୍ ଷ୍ଟେପ୍ ଏବଂ (7) ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍ ନମୁନା |ଦୁଇଟି ସୁପ୍ରିମପୋଜଡ୍ ବିମ୍, ବାମ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଲାଲ ରଙ୍ଗର ହୋଇ, ନମୁନାରେ \ (2 \ theta \) କୋଣରେ (ଉଭୟ s- ଏବଂ p- ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି) ର ar ଖ୍ୟ ସଂରଚନା ସୃଷ୍ଟି କରେ |
ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅଧ୍ୟୟନରେ ବ୍ୟବହୃତ ଏବଂ / କିମ୍ବା ବିଶ୍ଳେଷଣ କରାଯାଇଥିବା ଡାଟାସେଟଗୁଡିକ ସମ୍ପୃକ୍ତ ଲେଖକମାନଙ୍କଠାରୁ ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ଅନୁରୋଧ ପରେ ଉପଲବ୍ଧ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜାନ -07-2023 |